%0 Journal Article
%T n~+-i-n~+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析
%A 林鸿生
%A 林臻
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 将描述电极性质的结区电场选作n~+-i-n~+或(n~+-n-n~+)结构a—Si:H器件电流流动微分方程组的另一对边界条件,应用Runge-Kutta法由初值问题技术解微分方程组得到该器件J-V特性数值解。在此基础上,空间电荷限制电流(SCLC)法推导出不同厚度薄a—Si:H样品隙态密度,证实了其费米能级附近隙态密度G(E_F)随厚度减少而增加是电极附近结区电场引起的。
%K 隙态密度
%K 空间电荷限制电流法(SCLC)
%K 初值问题方法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=94E01A0BE95CD120&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=E158A972A605785F&sid=69E4C201C13601F9&eid=EBD6B792C9111B87&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0