%0 Journal Article
%T AC Performance Analysis and Structure Optimization of Ultra-Thin Body SOI MOSFET''''s<br>Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化
%A Tian Yu
%A Huang Ru
%A <br>田豫
%A 黄如
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．
%K UTB
%K MOSFET<br>交流特性
%K 模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4FD0CA43101A6EFF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2B5DE8A23DCEED39&eid=F122871CC7EC92DC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6