%0 Journal Article
%T Design and Simulation of High-Voltage CMOS Devices Compatible with Standard CMOS Technologies<br>兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟
%A Liu Kuiwei
%A Han Zhengsheng
%A Qian He
%A Chen Zerui
%A Yu Yang
%A Rao Jingshi
%A Xian Wenling
%A <br>刘奎伟
%A 韩郑生
%A 钱鹤
%A 陈则瑞
%A 于洋
%A 饶竞时
%A 仙文岭
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0 .5 μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到10 8V,PMOS耐压达到- 6 9V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.
%K 高压CMOS
%K 0.5μm
%K 兼容工艺
%K 模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=534CA328C1027861&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=3D8AB54CA690066A&eid=1CBB73E9593E8833&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=6