%0 Journal Article
%T Optimal Temperature of Crystallization and Photoluminescence of SiC/Si(100) Film Prepared by Pulsed ArF Excimer Laser Deposition<br>脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光
%A WANG Yu xia
%A CAO Ying
%A HE Hai ping
%A TANG Hong gao
%A WANG Lian wei
%A HUANG Ji po
%A LIN Cheng lu
%A <br>王玉霞
%A 曹颖
%A 何海平
%A 汤洪高
%A 王连卫
%A 黄继颇
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度
%K laser deposition
%K SiC film
%K crystallization<br>激光淀积
%K SiC薄膜
%K 晶化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=775AE789B83473CB&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=7671EBF56E8E19A5&eid=2F8F471CEC23CD85&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=13