%0 Journal Article
%T 硅基双色发光图形的研制
%A 李宁生
%A 鲍希茂
%A 廖良生
%A 王振飞
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用SiO2作掩膜，通过C+离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区，注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域，构成双色发光图形．
%K 双色发光图形
%K 硅基
%K 光电子材料
%K 硅单晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D595222486FC15B5&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=86C0C9A759FDA8CA&eid=A5B34D9E8FDA439A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4