%0 Journal Article
%T 低温分子束外延GaAs薄膜的研究
%A 邓航军
%A 范缇文
%A 王占国
%A 梁基本
%A 朱战萍
%A 李瑞钢
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后的样品中存在大量的砷沉淀物．沉淀物大致呈球形．砷沉淀物的直径随着退火温度的上升而线性地增大，而密度却随退火温度的上升指数地下降．
%K 低温
%K GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B04B3D65F91C01FE&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=E3094127AA4ABC1A&eid=4AD4BA66429F5627&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1