%0 Journal Article
%T 气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料
%A 袁瑞霞
%A 阎春辉
%A 国红熙
%A 李晓兵
%A 朱世荣
%A 李灵肖
%A 曾一平
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．
%K 可见光激光器
%K 分子束外延
%K 气态源
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6033D009C46E322F&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=7737D2F848706113&eid=EC34D52BE81085CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1