%0 Journal Article
%T GaAs电学参数温度性质的研究
%A 张声豪
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用表面光伏方法和计算机拟合技术,在21—320K温度范围内得到N-GaAs的重要电学参数L_p、μ_p、n_0、S和V_(SO)的温度关系曲线。通过对这些温度关系曲线的理论分析和拟合计算,进一步得到样品的施主杂质浓度N_D、杂质电离能ε_D、基态简并度g_D和杂质补偿度K_I的数值,少子迁移率μ_p(T)的经验公式和表面费米能级E_(FS)的温度关系曲线。文中还推导了有关的理论公式。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0C30EFF3E9BAAAE2&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=8ED630AD8C61FAE8&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0