%0 Journal Article
%T 沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿
%A 黄美浅
%A 黎沛涛
%A 马志坚
%A 郑耀宗
%A 刘百勇
%A 李观启
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有相同栅氧化层的MOS电容器的静态击穿场强。耗尽型MOSFET’s的栅氧化层动态击穿场强主要由漏-源穿通电压决定,而增强型器件主要由深耗尽层击穿电压决定。无论是耗尽型还是增强型器件,栅电压在一定范围内增加时,栅氧化层动态击穿场强下降。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E48A05A4C5F9E77F&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=94C357A881DFC066&sid=E42CAFB11D4BE21A&eid=358F98408588E522&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0