%0 Journal Article
%T 亚微米LDD MOSFET’s集成电路的优化设计及研制
%A 余山
%A 章定康
%A 黄敞
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文对 L=0.55μm LDD MOSFET’s的杂质分布及侧墙工艺进行了研究,提出了亚微米 LDD MOSFET’s集成电路的优化工艺设计.
%K 集成电路
%K 优化
%K 掺杂
%K 分布
%K 设计
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E81AFF21203EBEB5&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=F27A401E323B6FAD&eid=9BA67A0B76A3DBA8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=8