%0 Journal Article
%T 光伏法测量AlAs/GaAs超晶格子带间光跃迁
%A 朱文章
%A 陈朝
%A 刘士毅
%A 江德生
%A 庄蔚华
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 采用电容耦合法,在18—300K温度范围内测量了AlAs/GaAs超晶格的光伏谱.在100K以下,光伏曲线反映了台阶式二维状态密度分布,可观测到6个信号峰.采用Kronig-Penney模型计算势阱中导带和价带子带的位置和带宽,共有3个导带子带,6个重空穴子带和3个轻空穴子带.根据宇称守恒确定光跃迁选择定则,对6个峰进行指认.实验结果与理论计算的结果基本相符合.
%K 超晶格
%K 光伏谱法
%K 子带
%K 光跃迁
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6F3C021E84534830&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=EB58C3052341AAA3&eid=FED44C0135DC1D9C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=1