%0 Journal Article
%T TiO_2薄膜制备及其表面光电压谱研究
%A 戴国瑞
%A 刘旺
%A 陈自力
%A 姜月顺
%A 诸真家
%A 陈丽华
%A 李铁津
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报道了采用PECVD技术淀积TiO_2薄膜,深入地研究了反应条件对薄膜生长的影响,并对薄膜进行了光电子能谱和表面光电压谱测试,结果表明,Ti/O原子比接近2,钛原子氧化态为4,高温氢气退火处理的样品,存在三价态钛Ti~(3+).TiO_2薄膜淀积在硅衬底上,在合适条件下,表面光电压信号增强约二个数量级,主要是形成异质结和消反射作用的结果.
%K TiO2薄膜
%K 制备
%K 表面光电压谱
%K 测试
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398BB40B646D0D8ACB76&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=965F4E89CD0AFC30&eid=73648F51F187AC5E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2