%0 Journal Article
%T PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用
%A 曾天亮
%A 陈平
%A 江志庚
%A 李志彭
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON(等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅)膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH_4(3％)和N_2O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.
%K SiON膜
%K PECVD沉积
%K 双层互连工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E7BC2046D7BED644&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B54EB62E9D3FF31E&eid=AFB2C35009D5D191&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2