%0 Journal Article
%T Research on Etch Rate of Reactive Ion Etching of GaAs,AlAs and DBR<br>GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
%A LIU Wen-kai
%A LIN Shi-ming
%A WU Shu
%A QU Bo
%A ZHU Jia-lian
%A GAO Jun-hua
%A LU Jian-zu
%A LIAO Qi-wei
%A DENG Hui
%A CHEN Hong-da
%A <br>刘文楷
%A 林世鸣
%A 武术
%A 朱家廉
%A 高俊华
%A 渠波
%A 陆建祖
%A 廖奇为
%A 邓晖
%A 陈弘达
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
%K reactive ion etching
%K etch rates
%K GaAs
%K AlAs
%K DBR<br>反应离子刻蚀
%K 刻蚀速率
%K GaAs
%K AlAs
%K DBR
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1BEFF9E9640A197F&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=966030800FCA5D46&eid=D3CBA54FACB30BD9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=9