%0 Journal Article
%T Property of High Quality Carbon Doped GaAs/AlGaAs Materials Grown by MOCVD<br>MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究
%A LIAN Peng
%A ZOU De
%A |shu
%A GAO Guo
%A YIN Tao
%A CHEN Chang
%A |hua
%A XU Zun
%A |tu
%A CHEN Jian
%A |xin
%A SHEN Guang
%A |di
%A <br>廉鹏
%A 邹德恕
%A 高国
%A 殷涛
%A 陈昌华
%A 徐遵图
%A 陈建新
%A 沈光地
%A 曹青
%A 马骁宇
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态ＣＣｌ４为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料，研究了ＣＣｌ４流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和Ｘ射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究．实验制备了空穴浓度高达１．９×１０２０ｃｍ－３的碳掺杂ＧａＡｓ外延材料和低温光致发光谱半宽小于５ｎｍ的高质量碳掺杂Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ外延层．在材料研究的基础上，我们以碳为Ｐ型掺杂剂生长了Ｇａ
%K GaAs/AlGaAs
%K MOCVD
%K Carbon Doping<br>GaAs/AlGaAs
%K MOCVD
%K 碳掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=54961267B7A42E04&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1AE5323881A5ECDC&eid=771152D1ADC1C0EB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13