%0 Journal Article
%T 深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型
%A 汪红梅
%A 奚雪梅
%A 张兴
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强（ＤＩＣＥ）和串联Ｓ／Ｄ电阻等．该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述，确保了电流及其高阶导数在饱和点连续．将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比，当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时，二者吻合得仍然很好
%K SOI
%K MOSFET
%K 深亚微米薄膜
%K 强反型
%K 电流模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BB000971F5CF312FF885D3919F7D0E46&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=895BB10EB8F3BD49&eid=50FF665B2730AEEC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=7