%0 Journal Article
%T 准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管
%A 张进书
%A 钱伟
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%A 罗台秦
%A 王于辉
%A 孙同乐
%A 王庆海
%A 高颖
%A 梁春广
%A 冯明宪
%A 林其渊
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．
%K 异质结
%K 双极晶体管
%K 锗化硅
%K HBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EB37F1121C4C0F17&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B3645A659773B73C&eid=FE6645F2371CA43C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1