%0 Journal Article
%T 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究
%A 马书懿
%A 秦国刚
%A 马振昌
%A 宗婉华
%A 吴正龙
%A 姚光庆
%A 孟祥提
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．
%K 富硅二氧化硅
%K 氧化硅薄膜
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FD48710F894647F7&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=3EE58D91F4253193&eid=195767709E606C85&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5