%0 Journal Article
%T GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化
%A 曹先安
%A 陈溪滢
%A 李喆深
%A 苏润洲
%A 丁训民
%A 侯晓远
%A 钱峰
%A 姚晓峨
%A 陈效建
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．
%K 硫钝化
%K 砷化镓
%K HBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0EC5A50D46786F57&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=228A710F49B6CE58&eid=E203FB1A272C9DD2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3