%0 Journal Article
%T 不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响
%A 蒋美萍
%A 李金华
%A 黄宜平
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退火对样品的应力无明显影响，正面张应力都≤5×103N／cm2．且均匀分布，背面无应力．N2、N2＋1％O2、Ar＋0．5％O2等不同退火气氛对应力也无明显影响．局部注入会在SIMOX样品的顶层硅中产生较高的应力，且在高温长时间退火后背面衬底中还有应力存在．
%K 注氧隔离SOI
%K 硅
%K 集成电路
%K 制备工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=26D7F41522FAB40E&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=318E4CC20AED4940&eid=11B4E5CC8CDD3201&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1