%0 Journal Article
%T 1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器
%A 张济志
%A 王圩
%A 张静媛
%A 汪孝杰
%A 李力
%A 朱洪亮
%A 王志杰
%A 周帆
%A 马朝华
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=10552BF3DC711E19&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=38B194292C032A66&sid=FA89360EB995A8AD&eid=6CCE24D86D03D083&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0