%0 Journal Article
%T Analysis of Design for a-SiC/c-Si Heterojunction Solar Cells<br>a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析
%A Lin Hongsheng
%A Duan Kaimin
%A Ma Lei
%A <br>林鸿生
%A 段开敏
%A 马雷
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ( a- Si C∶ H)薄膜和在 pn异质结嵌入 i( a- Si∶ H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性
%K 异质结太阳能电池
%K Newton-Raphson解法
%K a-SiC∶H隙态密度分布
%K 载流子收集
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3F530FF8E4DD4F18&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=4A2356A1257A12EB&eid=E3C3E274D87A8C16&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=10