%0 Journal Article
%T Growth and Characterization of c-Orient LiNbO3 Films on Si(100) by Pulse Laser Deposition<br>激光脉冲沉积法在Si(100)上生长c轴择优取向的LiNbO_3晶体薄膜及其性能
%A Huang Jingyun
%A Ye Zhizhen
%A Wang Lei
%A Ye Longfei
%A Zhao Binghui
%A <br>黄靖云
%A 叶志镇
%A 汪雷
%A 叶龙飞
%A 赵炳辉
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用激光脉冲沉积 ( PL D)法在 Si( 10 0 )衬底上生长得到了完全 c轴择优取向的 L i Nb O3( L N)薄膜 ,X射线衍射分析表明 L N( 0 0 6)衍射峰的半峰宽为 0 .3 5°.利用棱镜耦合器 ,激光可以被耦合到 L N薄膜中 ,形成 TE和 TM模式的光波导 .测得 L N薄膜的折射率 n0 为 2 .2 85 ,薄膜的厚度为 0 .199μm.
%K optical waveguide
%K LiNbO_3 film
%K pulse laser
%K deposition<br>光波导
%K 铌酸锂薄膜
%K 激光脉冲沉积法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1CA818B497B202EB&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=8CE1095CD639AEF4&eid=ABF2590617D31FFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=13