%0 Journal Article %T Fabrication and Optical Properties of Cu-Doped ZnS Nanoparticles
掺铜ZnS纳米材料的制备及光学性质 %A Wang Lingling %A Sang Wenbin %A Min Jiahua %A Liu Yinfeng %A Chen Zonggao %A Fan Jianrong %A
王灵玲 %A 桑文斌 %A 闵嘉华 %A 刘引烽 %A 陈宗高 %A 樊建荣 %J 半导体学报 %D 2002 %I %X 介绍了在聚乙烯醇衬底中利用离子络合法制备未掺杂和掺铜的 Zn S纳米微粒 .TEM图表明 Zn S纳米微粒较均匀地分布在 PVA衬底上 ,粒径在 1~ 10 nm,且具有类似体材料的立方结构 .与未掺杂 Zn S相比 ,掺铜 Zn S的紫外 -可见吸收光谱没有明显的变化 ;但 PL 光谱的发射峰却从 4 5 0 nm移到了 4 80 nm左右 ,这可能是由于 Zn S的导带和 Zn S禁带中铜的能级 T2 之间的跃迁造成的 %K nanoparticles %K Cu-doped ZnS %K TEM %K photoluminesc enc
纳米微粒 %K 掺铜ZnS %K 透射电镜 %K 光致发光 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3AFC8EA2C888FAC6&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=94C357A881DFC066&sid=D8B37A0210DB6B9D&eid=036D726259190A01&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=12