%0 Journal Article
%T LP-MOVPE Grown Broad-Waveguide Al-Free Active-Region SQW Lasers<br>LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器
%A LI Zhong hui
%A WANG Xiang wu
%A YANG Jin hua
%A ZHANG Xing de
%A <br>李忠辉
%A 王向武
%A 杨进华
%A 张兴德
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点 .制作的条宽 10 0 μm、腔长 1mm的激光器 (腔面未镀膜 ) ,激射波长为831nm,室温连续输出光功率达 1W.
%K MOVPE
%K broad
%K waveguide
%K SCH
%K single quantum well
%K Al
%K free lasers<br>金属有机化合物气相外延
%K 宽波导
%K 分别限制
%K 单量子阱
%K 无铝激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8D3EF6BA70F5A74B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=59906B3B2830C2C5&sid=CDD86F65AA3A5D34&eid=0E6C9B38667ABC5C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9