%0 Journal Article
%T Highly-Strained InGaAs/GaAs Single-Quantum-Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy<br>分子束外延生长高应变单量子阱激光器(英文)
%A PAN Zhong
%A LI Lianhe
%A Xu Yingqiang
%A DU Yun
%A LIN Yaowang
%A <br>潘钟
%A 李联合
%A 徐应强
%A 杜云
%A 林耀望
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K.
%K InGaAs
%K molecular beam epitaxy
%K high strain
%K quantum well laser<br>InGaAs
%K 分子束外延
%K 高应变
%K 量子阱激光器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=401910AA160959BD&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=FB3C6F66BC48DD45&eid=C17A97755771D03C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12