%0 Journal Article
%T 非晶硅太阳电池光照J—V曲线反常拐弯现象的研究
%A 熊华
%A 廖显伯
%A 郑怀德
%A 李海峰
%A 刁宏伟
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文研究了非晶硅(a-Si:H)pin型太阳电池光照J-V特性的反常拐弯现象,发现这种拐弯可以区分为两种类型,它们分别与出现在p界面或n界面上的空穴势垒相联系。并且,以多步隧道复合模型为基础,进行了模拟计算,得到了与实验数据相符合的结果。
%K 非晶硅
%K 太阳能电池
%K 拐变现象
%K 光照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=29AC60E20631E472&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5FF9F4F7CB1800C7&eid=A04F01817ECB9A48&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4