%0 Journal Article
%T 微氮硅单晶中的热受主
%A 杨德仁
%A 吕军
%A 李立木
%A 姚鸿年
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文研究了微氮硅单晶在经历不同温度热处理时电阻率的变化,发现在700℃以上退火时,n型微氮硅单晶的电阻率首先上升,随后逐渐下降,保持一稳定值,而p型微氮硅单晶的电阻率变化则相反.实验证明微氮硅单晶在 7 00℃以上退火时,产生了热受主(T A),其浓度可达 2 ×10~(14)个/cm~3,它的产生是氧氮杂质共同作用的结果,可能是一种硅中氮氧复合物.
%K 氮硅单晶
%K 硅单晶
%K 热受生
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=036362EECB3E1200&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=4ECB3941871FD391&eid=D8AE57480552698F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2