%0 Journal Article
%T 硅中氧的结构组态及热扩散行为
%A 陈畅生
%A 曾繁清
%A 熊传铭
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 利用变温FTIR测量和变温Hall效应测量方法,探讨了在室温(RT)至475℃温度范围内,硅中9μm峰的中心位置及其红外吸收系数随温度变化的规律.实验证实了氧在硅单晶中存在二种不同的组态:在RT—325℃范围内为Si_2O组态,其束缚能为E_b～0.8—1.0eV;在325—475℃范围内,Si_2O组态和准自由间隙氧原子组态同时并存,准自由氧原子扩散所须克服硅晶格的势垒为E_L～1.5—1.6eV.由此很好地解释了硅中氧的热扩散行为.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=935C842E3FB5668F&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8F2250DA83AF77B8&eid=DA4893B5F9885621&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0