%0 Journal Article
%T Growth of Amorphous and Microcrystal Silicon Films by H_2 Discharge Windowless Photo-CVD<br>氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜
%A Guo Shuwen/
%A <br>郭述文
%A 朱基千
%A 谭淞生
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性进行了初步的探讨.
%K Windowless photo-CDV
%K Hydrogenated a-Si
%K Flourinehydrogenated boron doped microcrystalline Silicon<br>无窗输出
%K CVD
%K 硅
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F30771971FE41089705B&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=CA122BD5B2FF2137&eid=786A9BAE5CF9B9EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5