%0 Journal Article
%T Reliability of n-GaAs Ohmic Contact With TiN Diffusion Barrier<br>具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性
%A ZHANG Wan
%A |rong
%A LI Zhi
%A |guo
%A MU Fu
%A |chen
%A CHENG Yao
%A |hai
%A SUN Ying
%A |hua
%A GUO Wei
%A |ling
%A CHEN Jian
%A |xin
%A SHEN Guang
%A |di
%A <br>张万荣
%A 李志国
%A 穆甫臣
%A 程尧海
%A 孙英华
%A 郭伟玲
%A 陈建新
%A 沈光地
%A 张玉清
%A 张慕义
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 .
%K ohmic contact
%K reliability
%K barrier layer<br>欧姆接触
%K 可靠性
%K 阻挡层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8BFB6FA5C99EC640&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C7B13290323C226E&eid=9E7C0CB25117E09B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=8