%0 Journal Article
%T 薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟
%A 张兴
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用数值模型成功地实现了薄膜深亚微米SOIMOSFET的瞬态数值模拟．为了提高模拟软件的计算效率和收敛速度，采用交替方向格式对载流子连续方程进行数值求解，得到了较为理想的模拟结果．通过大量的模拟计算，较为详细地分析了薄膜深亚微米全耗尽SOIMOSFET的瞬态工作机理，为今后小尺寸CMOS／SOIVLSI电路的设计提供了理论基础．
%K VLSI
%K SOI
%K MOSFET
%K 瞬态数值模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2A1CE075FCD51F27&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=933658645952ED9F&eid=2001E0D53B7B80EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4