%0 Journal Article
%T Si非平面衬底上SiGe/Si量子阱的光致发光特性
%A 杨沁清
%A 钱毅
%A 董文甫
%A 王启明
%A 崔堑
%A 黄绮
%A 周钧铭
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、线和阱的混合结构．非平面结构上的SiGe层的发光强度为平面结构上的8～10倍．从SiGe层内发出的发光强度占样品总发光强度的96％，且m≈1．1的值表明外延层的质量及时载流子的收集效率是高的．随着激发功率的增加，可以看到PL谱的蓝移．
%K 硅
%K 非平面衬底
%K 量子阱
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8A8194B00C557683&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=F3090AE9B60B7ED1&eid=23CCDDCD68FFCC2F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1