%0 Journal Article
%T 离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟
%A 施左宇
%A 林成鲁
%A 朱文化
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成ＳＩＭＮＩ结构的动态模拟程序．实验与模拟结果符合很好，验证了现有的理论模型和程序所作的假设．多次注入与退火会减小ＳＩＭＯＸ上层硅厚度，而增大ＳＩＭＮＩ的上层硅厚度．低能注入可以获得良好的ＳＯＩ材料，而且可以降低注入剂量
%K 离子注入
%K 计算机模拟
%K SIMOX
%K SIMNI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7ED3313F3231A2DA&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B6DA1AC076E37400&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1