%0 Journal Article
%T 一种新的硅深槽刻蚀技术研究
%A 钱钢
%A 张利春
%A 阎桂珍
%A 王咏梅
%A 张大成
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层，结果得到了深约６μｍ，侧壁垂直接近９０°的硅深槽．
%K 硅
%K 深槽刻蚀
%K 反应离子刻蚀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B8C4C3B86B3A6A85&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=771469D9D58C34FF&eid=339D79302DF62549&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5