%0 Journal Article
%T Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜
%A 屈新萍
%A 李炳宗
%A 茹国平
%A 顾志光
%A 徐鸿涛
%A 莫鸿翔
%A 刘京
%A 朱剑豪
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响．用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应．实验表明，利用Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ固相反应得到的ＣｏＳｉ２薄膜具有良好的外延特性，薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性．实验发现在较低温度退火时，生成Ｃｏ２Ｔｉ４Ｏ之类化合物，作为扩散阻挡层有利于ＣｏＳｉ２薄膜的外延．在多层薄膜结构中加入Ｓｉ非晶层，既能减少衬底Ｓｉ消耗量，又能保持ＣｏＳｉ２良好外延特性
%K 硅
%K 外延生长
%K 多层薄膜
%K 固相反应
%K 二硅化钴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4511531BBCD2C9F12E&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9A596D09E9486F3E&eid=9107B2E171152411&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4