%0 Journal Article
%T 退火对CdZnTe晶体质量的影响
%A 朱基千
%A 褚君浩
%A 张小平
%A 李标
%A 程继健
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 我们用红外透射光谱和X射线双晶衍射等，研究了退火对CdZnTe晶体质量的影响．结果表明，在Cd气氛中，700℃，退火5小时以上，能大量地去除晶片中的Te沉淀，提高其红外透射比；同时，退火也导致了晶片表面的损伤，损伤层为50～130μm．表面结构损伤的原因是，（1）Cd气氛中退火，CdZnTe晶体表面的Zn损失；（2）退火过程中，吸附在沉淀物周围的杂质，尤其是快扩散杂质，将随着沉淀相的消失而迁移到晶体的表面，从而破坏了表面的晶体结构．退火后，磨去损伤层，可将聚集在表面的这些杂质除去，更有利于外延生长或器件制备．
%K 化含物半导体
%K 晶体质量
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FF2016BC8B114F1D&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=B75DC817262E20A8&eid=CFBDB06850C21CC6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=2