%0 Journal Article
%T Al:Ti合金栅a-Si TFT研究
%A 熊绍珍
%A 赵颖
%A 王宗畔
%A 谷纯芝
%A 王丽莉
%A 李俊峰
%A 周祯华
%A 代永平
%A 姚伦
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率．
%K 半导体
%K 铝钛合金栅
%K 硅栅器件
%K α－硅
%K TFT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9243AF8136E51EDC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=E3691231514F8E11&eid=FA519F4FF622280A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5