%0 Journal Article
%T Valence Band Denstiy of states of Transition Metal Silicides Studied by Soft X-Ray Emission Spectroscopy<br>软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构
%A WANG Jin
%A |liang
%A WANG Tian
%A |min
%A <br>王金良
%A 王天民
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 用软 X射线发射光谱法对 Mn Si、Mn Si1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究 .首先在硅表面上形成了 Mn Si、Mn Si1.7单一相薄膜 ,并用 X射线衍射谱得到证实 .然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- Kβ发射光谱和 Si- L2 ,3发射光谱 ,Si- Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- p部分电子态密度 ,而 Si- L2 ,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- s,d部分电子态密度 .Mn Si、Mn Si1.7的 Si- L2 ,3发射光谱具有不同的形状 .这些不同形状的原因 ,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析
%K 软X射线发射光谱法
%K 锰硅化物
%K 价电子态密度
%K Si-L_(2
%K 3)和Si-K_β价带发射谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2504986E6E8DD8C4&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=9409F3EB075DCD5B&eid=61000B595C9AE527&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17