%0 Journal Article
%T Solid-Source Molecular Beam Epitaxial Growth of InP and InGaAsP<br>全固源分子束外延生长InP和InGaAsP
%A HAO Zhi-biao
%A LU Jing-hui
%A REN Zai-yuan
%A LUO Yi
%A <br>郝智彪
%A 卢京辉
%A 任在元
%A 罗毅
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3.In P外延层的表面形貌、生长速率及 p型掺杂特性与生长温度密切相关 .研究了 In Ga As P外延材料的组分特性 ,发现在一定温度范围内生长温度对 族原子的吸附系数有较大影响 .最后得到了晶格匹配的 In0 .56Ga0 .4 4 As0 .94 P0 .0 6材料 ,低温光致发光谱峰位于 1 50 7nm,FWHM为 9.8me V.
%K MBE
%K InP
%K InGaAsP<br>分子束外延
%K InP
%K InGaAsP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B2A9F120B1D4D576&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8339CA1DD1F3C6AB&eid=839CF8520FE9DA44&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=22