%0 Journal Article
%T 多晶硅薄膜应力特性研究
%A 张国炳
%A 郝一龙
%A 田大宇
%A 刘诗美
%A 王铁松
%A 武国英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成．结果表明，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力，其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响．采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，减小其内应力，并可使其转变成为本征张应力，以满足在微机电系统（ＭＥＭＳ）制备中的要求
%K 多晶硅薄膜
%K VLSI
%K LPCVD
%K 制备
%K 应力特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=095DA2DA8D5051A8&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=788931E6318420A3&eid=98494933359B55EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=13&reference_num=2