%0 Journal Article
%T 77K NMOSFET沟道热载流子注入效应
%A 刘卫东
%A 李志坚
%A 刘理天
%A 魏同立
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 通过综合测试７７Ｋ和２９５Ｋ下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及Ｉ－Ｖ特性的蜕变，研究了ＮＭＯＳＦＥＴ中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制．提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下ＮＭＯＳＦＥＴ热载流子增强蜕变的微观机制．
%K NMOSFET
%K 热载流子注入
%K 蜕变
%K 电子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=304EA089F921587B&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8AD9BBE1FAF6BB78&eid=970314C3B74F6C4D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3