%0 Journal Article
%T Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱
%A 石晓红
%A 陈忠辉
%A 黄醒良
%A 史国良
%A 刘普霖
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=121C08042DA27B5A&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=5D311CA918CA9A03&sid=7E2D9DFE40003B3F&eid=20C9FB8C7B4A22AD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0