%0 Journal Article
%T 掺杂聚乙炔中的局域电子状态及其特性研究
%A 庞小峰
%A 游寿星
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文对掺杂后，聚乙炔（ＣＨ）ｘ中出现的局域电子状态进行了研究．研究表明：随杂质浓度的增加，它的导电率可由绝缘体变到半导体，并在一定浓度下变成导体。所得结果和实验值符合，从而解决了（ＣＨ）ｘ的导电性能改变的机制。
%K 聚乙炔
%K 电子状态
%K 掺杂
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D88440B18D810E12&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=9CF7A0430CBB2DFD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6