%0 Journal Article
%T 不同应力条件下亚微米MOSFET''s热载流子退变特性实验研究
%A 程玉华
%A 李瑞伟
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文对N沟道亚微米器件在不同应力条件下的热载流子退变特性进行了实验研究。实验结果表明:热空穴注入对器件的热载流子退变特性有重要影响。文章对不同应力条件下器件中的热空穴注入与热电子注入的相互作用进行了分析。
%K 场效应晶体管
%K 载流子
%K 退变
%K 实验
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38531069E0A431D6AD&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=4D1A534FF6CD5D9A&eid=EED44B83FAB71309&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4