%0 Journal Article
%T 电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构
%A 范卫军
%A 夏建白
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用有效质量理论研究了GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs111]超晶格在外加电场下的电子结构.具体计算了超晶格的子能带色散关系曲线,子能级随外加电场的变化,并且计算了k_u=0的光跃迁矩阵元平方随电场的变化.与零电场情况相比,发现在k_u≠0处子能带的二重简并解除.随电场的增大,△n=0的跃迁减小,而△n≠0的跃迁增大.考虑单轴压力效应后,轻空穴和重空穴的能级位置发生下降和上升.
%K 电场
%K 化合物半导体
%K 材料
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212754FF79B8B7D4F38&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=892C6E385D640C1E&eid=717CC18E05F2AFA0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4