%0 Journal Article
%T 热载流子应力感应n-MOSFETsGIDL特性退化的机理
%A 徐静平
%A 黎沛涛
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 对不同栅氧化物ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ的ＧＩＤＬ（Ｇａｔｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＤｒａｉｎＬｅａｋａｇｅ）特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究．发现ＧＩＤＬ的漂移对栅电压十分敏感，在ＶＧ＝０．５ＶＤ的应力条件下呈现最大．通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟，引入“亚界面陷阱”概念，对所涉及的机理提出了新见解，认为：在应力期间，亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于ＶＧ＝０．５ＶＤ和ＶＧ＝ＶＤ两种典型应力下ＧＩＤＬ的漂移．实验还观察到Ｎ２Ｏ氮化，特别是Ｎ２Ｏ退火ＮＨ３氮化的ｎ－ＭＯＳＦＥＴｓ比常规热氧化ｎ
%K n－MOSFETs
%K GIDL
%K 热载流子应力
%K 退化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=83D9BF6DC3EFC513&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=DE3C727FE2D9509D&eid=8AF49F1519D8BF1E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8