%0 Journal Article
%T AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究
%A 顾伟东
%A 夏冠群
%A 冯先根
%A 吴强
%A P A HoustonA
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据．
%K HBT
%K 异质结
%K 测试
%K 发射结
%K 双极型晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3CCA425781C18AF4&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=0B9C8D3D9D6254B2&eid=9409F3EB075DCD5B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=1