%0 Journal Article
%T A Novel Structure and Its Breakdown Mechanism of a SOI High Voltage Device with a Shielding Trench<br>屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理
%A Luo Xiaorong
%A Li Zhaoji
%A Zhang Bo
%A Guo Yufeng
%A Tang Xinwei
%A <br>罗小蓉
%A 李肇基
%A 张波
%A 郭宇锋
%A 唐新伟
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3Es升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.
%K shielding trench
%K self-adapted interface charge
%K modulate
%K vertical electric field
%K breakdown voltage<br>屏蔽槽
%K 自适应界面电荷
%K 调制
%K 纵向电场
%K 击穿电压EEACC:2560B
%K 2560P
%K 屏蔽槽
%K 高压器件
%K 结构参数
%K 耐压机理
%K Trench
%K High
%K Voltage
%K Device
%K Mechanism
%K Breakdown
%K 击穿电压
%K 耐压值
%K 埋氧层
%K 结果
%K 关系
%K 分布
%K 高电场
%K 器件耐压
%K 仿真研究
%K 影响
%K 调制
%K 表面电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F3E5E3AEAD0B56A1&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=652823AEB83E4347&eid=835C863860D9932E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=11