%0 Journal Article
%T A New Memory Array Structure Decreasing Disturb Between Memory Cells<br>一种减小存储单元间串扰的新型阵列布局结构
%A Feng Guochen
%A Zheng Xinjian
%A and Shen Xubang
%A <br>冯国臣
%A 郑新建
%A 沈绪榜
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 针对SRAM阵列中的串扰，给出了一种新型布局结构，即字线的“错序译码”组织结构和位线的“间隔译码”组织结构．“错序译码”组织结构是根据程序“顺序局部性”的特点提出的，“间隔译码”组织结构是根据“串扰局部性”的特点提出的．在存储器单元比值一定的条件下，采用这种结构可以显著减小由寄生RC所带来的单元间的串扰，提高存储器读写的速度和工作可靠性．仿真结果进一步证实了这种结论．
%K SRAM<br>存储器
%K 存储阵列
%K 单元比值
%K 串扰
%K 顺序局部性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D55A64E8A5F71E20&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C5F8B8CB20F1B3D8&eid=A58CF3BAE79427D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6